FRAM铁电存储器。它是一种利用铁电材料的铁电性和铁电效应来存储非易失性数据的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写、高读写耐久性、低功耗和防篡改等方面具有优势。
富士通FRAM有三大优势:高读写耐用性、高速写入和低功耗，这是大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM的寿命高达10万亿倍，而EEPROM只有一百万倍。富士通FRAM可以在150纳秒内写入数据，速度约为EEPROM的1/3万。写入一字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400。它在电池供电的应用中有很大的优势。
经过长期广泛的市场验证和不断的技术突破，富士通FRAM产品已成功应用于多个行业。近年来，随着物联网和汽车电气化的新兴趋势，富士通进一步推出功耗更低或整车规格更高的FRAM产品，以适应物联网设备、汽车电子等行业的发展，为客户提供高质量、高可靠性的解决方案。
在BMS在汽车电子领域的应用中，富士通自主研发的BMS系统采用了MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM两种型号。同时，意大利一家知名FI轮胎制造商也使用富士通FRAM产品进行胎压监测。凭借高耐用性、高写入速度和高可靠性的特点，以及通过车辆规格认证产品的优势，富士通FRAM已成为启用关键汽车应用的外部存储器的首选。
除了汽车电子应用外，富士通FRAM还具有高写入耐久性和低功耗的特点，适用于在系统网关中记录和存储重要数据。高可靠性FRAM是为数不多的适用于高端医疗领域的电子产品。目前，富士通铁电存储器FRAM已成功应用于CT扫描仪、监护仪、自动CPAP设备、助听器、医用电子标签等产品，提高了医疗行业的生产效率。
